RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3628
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link