RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около -37% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
11.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1890
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link