RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Сравнить
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB против Kingston 9905622-024.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
41
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.3
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2176
2305
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link