RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB против Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
37
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2409
2579
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link