RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
41
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
41
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3006
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link