RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3086
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link