RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против AMD R744G2400U1S-UO 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
66
Около 58% меньшая задержка
Причины выбрать
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
66
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
1912
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link