RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
87
Около -172% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
870.4
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3148
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link