RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
87
Wokół strony -172% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3148
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link