RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2763
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5402-030.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link