RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Kingston KMKYF9-MIB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
13.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2434
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link