RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2434
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link