RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.3
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
18.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3442
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link