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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
29
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
14.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3442
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
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