RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2849
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link