RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2686
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link