RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2912
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link