RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
81
Около 65% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
81
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
1668
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link