RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
81
Около 65% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
81
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
1668
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link