RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
81
Por volta de 65% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
81
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
7.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
1668
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G6400LLK 2GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link