RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
18.4
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3178
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link