RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
18.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3996
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link