RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB 考慮すべき理由
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 28
    周辺 -8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.2 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    18.3 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 8500
    周辺 2.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 18.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 18.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 3996

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAMの比較

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB RAMの比較

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
メモリRAM