RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3191
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link