RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
19.4
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3519
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link