Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 28

Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.1 12.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

19.7 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 8500

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 23
Скорость чтения, Гб/сек

12.7 20.1
Скорость записи, Гб/сек

7.5 19.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 17000

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1988 4322

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB

Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston 9905701-011.A00G 16GB

Kingston 9905701-011.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston 9965604-008.D00G 16GB

Kingston 9965604-008.D00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB

Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB

Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB

ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB

Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB

модули RAM

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB

модули RAM