RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
28
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.7
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
19.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
4322
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link