RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против INTENSO 5641160 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
INTENSO 5641160 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
INTENSO 5641160 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2613
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
INTENSO 5641160 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link