RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.5
7.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
12.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
14.6
Скорость записи, Гб/сек
7.5
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2298
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML32GX3M4A1600C10 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link