RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Kingston 9905598-040.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
14.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2492
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link