RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
46
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
12.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2325
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link