Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка

Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 39

Около 28% меньшая задержка

Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

Причины выбрать
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

12.9 12.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.5 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

18200 8500

Около 2.14 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 39
Скорость чтения, Гб/сек

12.7 12.9
Скорость записи, Гб/сек

7.5 9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 18200

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-18200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1988 2169

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB

Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB

A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

модули RAM