RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 32
    Около 25% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 11.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB Причины выбрать
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    13.3 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 11.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 13.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2844

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB Сравнения RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
модули RAM
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
INTENSO 4GB
INTENSO 4GB
модули RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
модули RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
модули RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
модули RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
модули RAM