RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2844
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link