RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3462
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link