RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
33
Autour de 27% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
33
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3462
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link