RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
32
Intorno 25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
11.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
32
Velocità di lettura, GB/s
16.0
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2844
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link