RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
68
101
Intorno 33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.7
1,670.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
101
Velocità di lettura, GB/s
3,554.9
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,670.7
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
513
1382
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link