RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
68
101
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
101
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
1382
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link