RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3167
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link