RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.5
6.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
11.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
1832
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link