RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
40
Около 30% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.1
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
40
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
13.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2204
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link