RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 65
    Около 57% меньшая задержка
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    15.8 left arrow 12.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.5 left arrow 7.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 8500
    Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 65
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.7 left arrow 15.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.5 left arrow 8.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1988 left arrow 1932

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
модули RAM
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
модули RAM
Mushkin 994083 4GB
Mushkin 994083 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
модули RAM
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
модули RAM
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
модули RAM
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
AMD R5S34G1601U1S 4GB
AMD R5S34G1601U1S 4GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
модули RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
модули RAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
модули RAM