RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.4
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
12.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2354
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link