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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
12.7
12.2
写入速度,GB/s
7.5
9.4
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2354
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
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Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
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