RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2494
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link