RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2494
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link