RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
50
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
50
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
10.6
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2393
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link