RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
50
Rund um 44% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
10.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
8.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2393
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link