RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
61
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
8.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.5
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
61
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
8.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
1813
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston KHX2133C11S3L/4G 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link