RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
46
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
39
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2159
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link