RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
18.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3172
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link